هدف کندوپاش اکسید نیوبیم (هدف کندوپاشی Nb2O2)

هدف اسپوتینگ اکسید نیوبیوم یک هدف مهم سرامیکی اکسید کاربردی است که معمولاً در اسپوتینگ، رسوب لیزر پالس (PLD) و سایر فرآیندهای رسوب فیلم نازک استفاده می شود.اين هدف داراي ثبات شيميايي و خواص الکتريکي خوبيه، همراه با شفافیت عالی و خواص ضد بازتاب.

خواص برجسته هدف اسپتر کردن اکسید نیوبیوم

من ثبات شیمیایی

اکسید نیوبیوم ثبات استثنایی در دمای اتاق را نشان می دهد و واکنش حداقل با اسید ها و پایه ها را نشان می دهد.حفظ عملکرد پایدار در شرایط شیمیایی خشن.

من عملکرد الکتروشیمی

اکسید نیوبیوم دارای ثبات الکتروشیمیکی عالی و خواص حمل الکترون است، که آن را به یک ماده ایده آل برای دستگاه های ذخیره انرژی مانند باتری ها و خازن ها تبدیل می کند.

من خواص نوری برجسته

Niobium Oxide Sputtering Target دارای شاخص شکنندگی بالا و ویژگی های پراکندگی پایین است، که آن را به یک ماده ایده آل برای تولید عناصر نوری مانند فیلترها و پوشش لنز تبدیل می کند.

من خواص عایق برق

اکسید نیوبیوم یک عایق الکتریکی عالی با ثابت دی الکتریک بالا است، که آن را به ویژه در صنایع میکروالکترونیک و نیمه هادی مهم می کند.

کاربردهای گسترده ای از هدف اسپوتینگ اکسید نیوبیوم

من دستگاه های الکترونیک

کاربرد اصلی هدف اسپوتینگ اکسید نیوبیوم در دستگاه های الکترونیکی است، با استفاده از ثابت دی الکتریک بالا (ε≈25-40) ، تراکم جریان نشت پایین،ویژگی های نیمه هادی فیلم های Nb2O5.

من اپتیک

فیلم های Nb2Ox دارای شاخص انشعاب بالا (1.9-2.3 در محدوده نور قابل مشاهده) ، شفافیت بالا (≥90٪) و ثبات نوری هستند.شاخص انكسار بالا و شفافیت نوری خوب از اکسید نیوبیوم فیلم به طور گسترده ای در هدایت موج نوری استفاده می شود، پوشش های ضد انعکاس، و آشکارسازان فوتو الکتریکی، به طور قابل توجهی عملکرد نوری و کارایی دستگاه ها را بهبود می بخشد.

من حافظه دسترسی تصادفی پویا (DRAM)

Niobium Oxide Sputtering Target به عنوان لایه دی الکتریک ثابت دی الکتریک در سلول های ذخیره سازی DRAM استفاده می شود، جایگزین SiO2 و HfO2 سنتی،امکان ظرفیت بالاتر در همان منطقه و دستیابی به یکپارچه سازی حافظه با چگالی بالا.