Chi tiết sản phẩm
|
Mục tiêu phún xạ Niobium Oxide (Mục tiêu phún xạ Nb₂Oₓ)
| Tên thương hiệu: | APG |
| Thời gian giao hàng: | 4-5 tuần |
| Điều khoản thanh toán: | T/T |
Mục tiêu phún xạ Niobium Oxide
,Mục tiêu phún xạ Nb₂Oₓ
,Vật liệu mục tiêu Niobium Oxide
Niobium Oxide Sputtering Target là một mục tiêu gốm oxit chức năng quan trọng thường được sử dụng trong sputtering, lắng đọng laser xung (PLD) và các quy trình lắng đọng phim mỏng khác.Mục tiêu này có sự ổn định hóa học và tính chất điện tốt, cùng với tính minh bạch tuyệt vời và tính chất chống phản xạ.
Tính chất nổi bật của mục tiêu phun Niobium Oxide
Tôi. Sự ổn định hóa học
Niobium oxide cho thấy sự ổn định đặc biệt ở nhiệt độ phòng, hiển thị phản ứng tối thiểu với axit và cơ sở.duy trì hiệu suất ổn định trong điều kiện hóa học khắc nghiệt.
Tôi. Hiệu suất điện hóa học
Niobi oxit thể hiện sự ổn định điện hóa học tuyệt vời và tính chất vận chuyển electron, làm cho nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các thiết bị lưu trữ năng lượng như pin và tụ.
Tôi. Tính chất quang học xuất sắc
Niobium Oxide Sputtering Target có chỉ số khúc xạ cao và đặc điểm phân tán thấp, làm cho nó trở thành vật liệu lý tưởng để sản xuất các yếu tố quang học như bộ lọc và lớp phủ ống kính.
Tôi. Tính chất cách điện
Niobium oxide là một chất cách điện tuyệt vời với một hằng số dielectric cao, làm cho nó đặc biệt quan trọng trong các ngành công nghiệp vi điện tử và bán dẫn.
Ứng dụng rộng của mục tiêu phun Niobium Oxide
Tôi. Thiết bị điện tử
Ứng dụng chính của Niobium Oxide Sputtering Target là trong các thiết bị điện tử, tận dụng hằng số dielectric cao (ε≈25-40), mật độ dòng chảy rò rỉ thấp,và tính chất bán dẫn của phim Nb2O5.
Tôi. Kính quang
Phim Nb2Ox có chỉ số khúc xạ cao (1,9-2.3 trong phạm vi ánh sáng nhìn thấy), độ minh bạch cao (≥ 90%) và ổn định quang học.Chỉ số khúc xạ cao và sự minh bạch quang học tốt của niobi oxide làm cho các bộ phim được sử dụng rộng rãi trong các đường dẫn sóng quang học, lớp phủ chống phản xạ và máy dò quang điện, cải thiện đáng kể hiệu suất quang học và hiệu quả của các thiết bị.
Tôi. Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM)
Niobium Oxide Sputtering Target được sử dụng làm lớp dielectric không đổi điện áp cao trong các tế bào lưu trữ DRAM, thay thế SiO2 và HfO2 truyền thống,cho phép công suất cao hơn trong cùng một khu vực và đạt được tích hợp bộ nhớ mật độ cao.
