인듐 갈륨 아연 산화물 스퍼터링 타겟 또는 인듐 갈륨 아연 산화물 타겟은 산화인듐(In₂O₃), 산화갈륨(Ga₂O₃), 산화아연(ZnO)을 특정 비율로 혼합 및 소결하여 만든 다성분 복합 산화물 세라믹 타겟입니다. 고성능 IGZO 박막 트랜지스터(TFT)를 제조하는 마그네트론 스퍼터링(PVD) 공정에 널리 사용됩니다.
기존의 비정질 실리콘 및 산화아연 재료에 비해 IGZO 스퍼터링 타겟은 이동도가 높고 누설 전류가 낮으며 투명도가 우수하여 차세대 고해상도 디스플레이 패널(OLED, 4K, 8K 등)의 핵심 소재입니다.
l 높은 전자 이동도
비정질 실리콘의 약 10배로 TFT의 응답 속도를 크게 향상시킵니다.
l 낮은 누설 전류 및 낮은 전력 소비
인듐 갈륨 아연 산화물 스퍼터링 타겟은 에너지 효율적인 디스플레이 장치 및 휴대용 전자 제품에 적합합니다.
l 우수한 광학 투명도
높은 투과율로 고휘도 디스플레이 응용 분야에 적합합니다.
l 저온 박막 형성 호환성
저온에서 증착할 수 있어 플렉서블 디스플레이에 적합합니다.
l 높은 안정성 및 균일성
인듐 갈륨 아연 산화물 스퍼터링 타겟 박막은 치밀하고 안정적인 조성을 가져 대량 생산 요구 사항에 적응할 수 있습니다.
l 디스플레이 패널
인듐 갈륨 아연 산화물 스퍼터링 타겟은 기존의 비정질 실리콘 및 LTPS를 대체하는 고품질 TFT 소재입니다. 고해상도 디스플레이 장치에 널리 사용되어 이미지 새로 고침 속도 및 응답 속도를 개선하고 전력 소비를 줄이며 대형 및 고휘도 디스플레이에 적합합니다.
l 스마트 모바일 장치
스마트폰, 태블릿 및 기타 모바일 장치에서 IGZO는 디스플레이 성능과 배터리 수명을 크게 최적화하고 얇은 디자인을 지원하며 배터리 수명을 연장하고 터치 경험을 향상시킵니다.
l 플렉서블 및 웨어러블 전자 제품
인듐 갈륨 아연 산화물 스퍼터링 타겟은 저온 박막 형성 공정에 적합하며 플라스틱 및 PI와 같은 유연한 기판에 증착할 수 있습니다. 플렉서블 폰, 전자책, 전자 종이, 스마트워치, 스마트 안경 및 기타 웨어러블 장치에 널리 사용되며 플렉서블 공정과 호환되어 균일한 박막 형성 및 안정적인 성능을 보장합니다.
l 신에너지 및 저전력 전자 장치
IGZO 스퍼터링 타겟의 낮은 누설 전류와 높은 안정성은 산업 응용 분야에서 장기간 안정적인 작동이 필요한 장치에 이상적입니다. 에너지 효율적인 노트북, 전자책 리더기, 스마트 홈 제어 화면, IoT 단말기, AR/VR 헤드셋에 적합하며 매우 낮은 누설 전류, 연장된 대기 시간 및 향상된 사용자 경험을 제공합니다.