산화니오브 스퍼터링 타겟(Nb2Oₓ Sputtering Target)

니오비움 산화물 스프터링 타겟은 스프터링, 펄스 레이저 퇴적 (PLD) 및 기타 얇은 필름 퇴적 과정에서 일반적으로 사용되는 중요한 기능성 산화물 세라믹 타겟입니다.이 표적은 좋은 화학적 안정성과 전기적 특성을 가지고 있습니다., 뛰어난 투명성과 반사 방지 성질과 함께.

니오브륨 산화물 스프터링 목표물의 뛰어난 특성

난 화학적 안정성

니오비아산화물은 방온에서 예외적인 안정성을 보여 주며, 산과 염소와의 반응은 최소한입니다. 이것은 화학적으로 부식성 환경에서의 응용에 이상적입니다.가혹한 화학 조건에서 안정적인 성능을 유지.

난 전기 화학 성능

니오비아산화물은 우수한 전기 화학적 안정성과 전자 운송 특성을 가지고 있으며 배터리 및 콘덴서와 같은 에너지 저장 장치에 이상적인 재료가됩니다.

난 탁월 한 광학적 특성

니오비움 산화물 스프터링 타겟은 높은 굴절 지수와 낮은 분산 특성을 가지고 있으며 필터와 렌즈 코팅과 같은 광학적 요소를 생산하는 데 이상적인 재료입니다.

난 전기 격리 특성

니오비아산화물은 높은 변압력을 가진 훌륭한 전기 단열제이며, 마이크로 전자 및 반도체 산업에서 특히 중요합니다.

니오 비움 산화물 스프터링 타겟의 광범위한 응용

난 전자 장치

니오비움 산화물 스프터링 타겟의 주요 응용은 전자 장치에서 높은 다이 일렉트릭 상수 (ε≈25-40), 낮은 누출 전류 밀도,Nb2O5 필름의 반도체 성질.

난 광학

Nb2Ox 필름은 높은 굴절 지수 (1.9-2.3 가 보이는 빛 범위에서), 높은 투명성 (≥ 90%) 및 광적 안정성을 가지고 있습니다.높은 굴절 지수와 좋은 광학 투명성 니오 빔 산화질소는 필름 광학 파도 안내기에 널리 사용, 반사 방지 코팅 및 광전기 탐지 장치, 장치의 광학 성능과 효율성을 크게 향상시킵니다.

난 동적 무작위 액세스 메모리 (DRAM)

니오비움 산화물 스프터링 타겟은 전통적인 SiO2와 HfO2를 대체하는 DRAM 저장 셀의 고 다이렉트릭 상수 다이렉트릭 층으로 사용됩니다.같은 영역에서 더 높은 용량을 가능하게 하고 고밀도 메모리 통합을 달성.