MoNb धातु स्पटरिंग लक्ष्य उच्च शुद्धता मोलिब्डेनम नाइओबियम लक्ष्य

उच्च शुद्धता वाले पाउडरों से बनाया गया यह मिश्र धातु असाधारण कठोरता, थर्मल लचीलापन,और उच्च पिघलने बिंदु विशेषता मोलिब्डेनम के साथ बेहतर विद्युत चालकता और रासायनिक निष्क्रियता निओबियम के साथमोएनबी लक्ष्यों का उपयोग पहनने के प्रतिरोधी, उच्च तापमान प्रतिरोधी और संक्षारण प्रतिरोधी कार्यात्मक फिल्मों को तैयार करने के लिए किया जाता है, जिसमें अर्धचालक, ऑप्टिकल, ऊर्जा,और उच्च अंत सजावटी कोटिंग क्षेत्रोंस्पुटरिंग द्वारा निर्मित मोएनबी फिल्मों में उच्च घनत्व, अच्छा आसंजन और स्थिर भौतिक और रासायनिक गुण होते हैं।

एमओएनबी लक्ष्य के मुख्य लाभ

मैं उच्च तापमान प्रतिरोध

मोलिब्डेनम सामग्री एक उच्च पिघलने बिंदु और अच्छी थर्मल स्थिरता प्रदान करती है, जिससे फिल्म उच्च तापमान स्पटरिंग प्रक्रियाओं के दौरान स्थिर रहती है, जो उच्च शक्ति जमा के लिए उपयुक्त है।

मैं संक्षारण प्रतिरोधक

नाइओबियम एसिड, क्षार और ऑक्सीकरण वातावरण के खिलाफ फिल्म प्रतिरोध को बढ़ाता है, जिससे फिल्मों और उपकरणों का जीवनकाल बढ़ जाता है।

मैं अच्छी विद्युत चालकता

मिश्र धातु की फिल्म में स्थिर विद्युत चालकता है, जो इसे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों, कार्यात्मक फिल्मों और पारदर्शी चालक फिल्मों में उपयोग के लिए उपयुक्त बनाती है।

मैं उच्च कठोरता और पहनने के प्रतिरोध

मोएनबी फिल्मों में उच्च कठोरता और पहनने का प्रतिरोध होता है, जो सुरक्षात्मक कोटिंग्स और उच्च अंत सजावटी कोटिंग्स के लिए उपयुक्त है, जिससे स्थायित्व बढ़ता है।

मैं अच्छी फिल्म घनत्व

स्पटर वाली फिल्में समान होती हैं, जिनमें मजबूत आसंजन होता है जो विभिन्न अनुप्रयोगों में फिल्म की स्थिरता सुनिश्चित करता है।

एमओएनबी लक्ष्य के मुख्य अनुप्रयोग

मैं अर्धचालक निर्माण

मोएनबी लक्ष्यों का उपयोग प्रवाहकीय परतों, इंटरकनेक्ट परतों, या परिरक्षण परतों को तैयार करने के लिए किया जा सकता है,अर्धचालक उपकरणों और इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए स्थिर विद्युत प्रदर्शन और दीर्घकालिक विश्वसनीयता प्रदान करना.

मैं डिस्प्ले पैनल

इसका उपयोग एलसीडी, ओएलईडी और मिनी/माइक्रो एलईडी डिस्प्ले पैनलों में पारदर्शी इलेक्ट्रोड सहायक परतों, गेट इलेक्ट्रोड या इंटरकनेक्ट लाइनों जैसी कार्यात्मक फिल्मों को जमा करने के लिए किया जाता है। मुख्य लाभःअच्छी लचीलापन, पारदर्शी प्रवाहकीय परतों (ITO/IZO) के साथ मजबूत इंटरफेस आसंजन, और उच्च स्पटरिंग एकरूपता।

मैं फोटोवोल्टिक उद्योग

मुख्य रूप से पतली फिल्म फोटोवोल्टिक कोशिकाओं (जैसे सीआईजीएस, सीडीटीई कोशिकाओं) में बैक इलेक्ट्रोड या प्रवाहकीय बैकप्लेट के लिए उपयोग किया जाता है। मुख्य फायदेः उच्च तापमान प्रतिरोध,फोटोवोल्टिक इलेक्ट्रोलाइट संक्षारण प्रतिरोध, और कम स्पर्श प्रतिरोध।

 मैं एयरोस्पेस

मोएनबी फिल्मों में उच्च कठोरता, उच्च तापमान प्रतिरोध और संक्षारण प्रतिरोध होता है, जो उन्हें एयरोस्पेस और उच्च तापमान औद्योगिक उपकरणों की सतह सुरक्षा के लिए उपयुक्त बनाता है,महत्वपूर्ण घटकों के जीवनकाल का विस्तार करना.