logo
قیمت خوب  آنلاین

جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
هدف پراکندگی فلز
Created with Pixso. اهداف اسپتر کردن هافنیوم (Hf)
اطلاعات دقیق
محل منبع:
چین
گواهی:
ISO9001、ISO14001、ISO45001、IAFT16949
خلوص:
99.9٪ - 99.99٪
تراکم:
13.31 گرم در سانتی متر مربع
نام:
هدف هافنیوم (Hf)
تشکیل فرآیند:
تف جوشی پرس داغ
مشخصات محصول:
هدف تخت، هدف دوار
فیلدهای کاربردی:
ساخت نیمه هادی، ساخت دستگاه های نوری. صنایع هسته ای، هوافضا و حفاظت در دمای بالا
جزئیات بسته بندی:
بسته بندی خلاء مهر و موم شده، بسته بندی شده برای نگهداری و حمل و نقل
قابلیت ارائه:
عرضه پایدار
برجسته کردن:

هدف اسپتر کردن هافنیوم

,

هدف کندوپاش Hf

,

هدف هافنیوم Hf

توضیحات محصول

اهداف اسپاترینگ هافنیم، اهداف اسپاترینگ ساخته شده از فلز هافنیم با خلوص بالا (Hf) هستند که دارای نقطه ذوب بالا (~2227 درجه سانتیگراد)، مقاومت عالی در برابر خوردگی، انعطاف‌پذیری خوب و جذب فوق‌العاده نوترون حرارتی هستند. آنها به طور گسترده در ساخت نیمه‌هادی‌ها، پوشش‌های نوری، صنعت هسته‌ای و آلیاژهای دمای بالا استفاده می‌شوند. هافنیم یک ماده استراتژیک حیاتی در صنایع الکترونیک و انرژی، به ویژه برای فرآیندهای پیشرفته تراشه و راکتورهای هسته‌ای است.

ویژگی‌های عالی هدف اسپاترینگ هافنیم

 

ل نقطه ذوب فوق‌العاده بالا و پایداری حرارتی


پایداری ساختاری را در محیط‌های با دمای بالا حفظ می‌کند، مناسب برای فرآیندهای پوشش‌دهی دمای بالا و شرایط سخت.

 

 

ل مقاومت عالی در برابر خوردگی


مقاومت بالا در برابر اکثر اسیدها، بازها و محیط‌های شیمیایی، امکان استفاده طولانی مدت در محیط‌های خشن را فراهم می‌کند.

 

 

ل خلوص بالا و عملکرد برتر فیلم


فیلم‌های اسپاتر شده یکنواخت و متراکم هستند؛ ترکیبات هافنیم (مانند HfO2) جذب کمی در محدوده نوری UV دارند و آنها را به مواد ایده‌آل با ضریب شکست بالا برای نیمه‌هادی‌ها و پوشش‌های نوری تبدیل می‌کند.

 

 

ل نقش کلیدی در فرآیندهای پیشرفته نیمه‌هادی


ترکیبات هافنیم (مانند HfO2) مواد دی‌الکتریک با ضریب کی بالا (high-k) هستند که به طور گسترده در دستگاه‌های منطقی پیشرفته و تراشه‌های حافظه برای بهبود ادغام و کاهش مصرف انرژی استفاده می‌شوند.

 

کاربردهای هدف اسپاترینگ هافنیم

 

ل ساخت نیمه‌هادی


اهداف اسپاترینگ هافنیم برای تولید فیلم‌های دی‌الکتریک با ضریب کی بالا، مانند HfO2، که به طور گسترده در دستگاه‌های منطقی پیشرفته، MOSFETها و حافظه‌های DRAM استفاده می‌شوند، ضروری هستند. خواص ضریب کی بالای آنها به طور موثری جریان نشتی دستگاه را کاهش داده و ادغام و عملکرد را بهبود می‌بخشد و آنها را برای فرآیندهای 7 نانومتری و پیشرفته‌تر ضروری می‌سازد.

 

 

ل ساخت دستگاه‌های نوری


اهداف اسپاترینگ هافنیم برای تولید فیلم‌های HfO2 با ضریب شکست بالا در اپتیک استفاده می‌شوند که در سیستم‌های نوری لیزری، فیلترهای تداخلی، پنجره‌های مادون قرمز و لنزهای دقیق کاربرد دارند. این فیلم‌ها انتقال نوری و مقاومت در برابر دمای بالا را بهبود می‌بخشند و الزامات کیفیت سخت‌گیرانه سیستم‌های نوری پیشرفته را برآورده می‌کنند.

 

 

ل صنعت هسته‌ای


فیلم‌های اسپاتر شده می‌توانند در سیستم‌های کنترل راکتور و سازه‌های محافظ به دلیل سطح مقطع جذب نوترون بسیار بالای هافنیم استفاده شوند. پوشش‌های هافنیم نقش حیاتی در ایمنی هسته‌ای ایفا می‌کنند و مواد کاربردی غیرقابل جایگزین در حوزه هسته‌ای هستند.

 

 

ل هوافضا و حفاظت در دمای بالا


اهداف اسپاترینگ هافنیم برای ایجاد پوشش‌های مقاوم در برابر اکسیداسیون در دمای بالا برای موتورهای جت، پره‌های توربین گاز و سایر اجزای دمای بالا استفاده می‌شوند. نقطه ذوب بالا و پایداری شیمیایی آنها اطمینان از قابلیت اطمینان در محیط‌های شدید هوافضا را تضمین کرده و طول عمر کلی سیستم را افزایش می‌دهد.