Mục tiêu phún xạ SiC Silicon Carbide Chống ăn mòn nhiệt độ cao

Mục tiêu Silicon carbide (SiC) được sản xuất từ bột có độ tinh khiết cao, mang lại khả năng chống chịu nhiệt độ cao và ăn mòn tuyệt vời, cùng với độ ổn định hóa học và độ dẫn nhiệt vượt trội. Những đặc tính này làm cho chúng đặc biệt phù hợp để lắng đọng các màng mỏng hiệu suất cao trong điều kiện hoạt động khắc nghiệt. Chúng là những vật liệu chức năng quan trọng được sử dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp bán dẫn, quang điện và quang học.

Ưu điểm chính của mục tiêu Silicon Carbide

l Độ tinh khiết cao, màng sạch hơn

Mục tiêu silicon carbide sử dụng nguyên liệu thô SiC có độ tinh khiết cao với hàm lượng tạp chất kim loại dưới 100 ppm. Các màng lắng đọng có ít khuyết tật và nhiễm bẩn hơn, với các đặc tính điện và quang ổn định, làm cho chúng phù hợp với các thiết bị điện tử cao cấp.

l Độ cứng và khả năng chống mài mòn siêu việt

Mục tiêu có khả năng chống bong tróc và nứt dưới điều kiện phún xạ công suất cao, kéo dài tuổi thọ mục tiêu hơn 30% so với mục tiêu gốm thông thường. Điều này làm giảm ô nhiễm hạt và cải thiện năng suất sản xuất.

l Độ dẫn nhiệt và khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời

Nó cho phép tản nhiệt nhanh chóng và cho phép phún xạ mật độ công suất cao hơn. Mục tiêu có khả năng chống nứt do sốc nhiệt, làm cho nó phù hợp với quá trình lắng đọng liên tục trong thời gian dài.

l Cấu trúc dày đặc và đồng nhất, chất lượng màng nhất quán

Mục tiêu silicon carbide có mật độ cao và phân bố hạt đồng nhất, cho phép tốc độ lắng đọng cao và độ đồng nhất độ dày màng tuyệt vời. Chất lượng ổn định có thể được duy trì ngay cả đối với các mục tiêu có kích thước lớn.

 Các lĩnh vực ứng dụng chính của mục tiêu Silicon Carbide

l  Sản xuất bán dẫn

Được sử dụng để lắng đọng màng mỏng trong các thiết bị điện tử công suất, thiết bị RF và cảm biến MEMS. Các màng dày đặc và có tính cách điện cao được hình thành thông qua phún xạ từ tính và các quy trình liên quan, cải thiện điện áp đánh thủng, khả năng chịu nhiệt và độ ổn định của thiết bị.

l Màn hình hiển thị

Mục tiêu Silicon carbide (SiC) được sử dụng làm lớp bảo vệ cứng hoặc lớp đệm chắc chắn trong các màn hình hiện đại, bao gồm LCD, OLED, Micro-LED và các công nghệ linh hoạt. Các lớp này tăng cường khả năng chống trầy xước và độ ổn định hóa học, đồng thời đảm bảo độ truyền quang quan trọng và duy trì độ nhạy cảm ứng.

l Ngành công nghiệp quang điện

SiC được sử dụng làm lớp chống phản xạ, lớp bảo vệ hoặc lớp đệm trong cả pin mặt trời silicon tinh thể và pin mặt trời màng mỏng. Các ứng dụng này cải thiện hiệu quả hấp thụ ánh sáng, giảm đáng kể tổn thất phản xạ và tăng cường độ ổn định lâu dài và độ bền tổng thể của thiết bị.

l Sản xuất thiết bị quang học

SiC được sử dụng để phủ ống kính, bộ lọc, lăng kính và các bộ phận quang học khác. Chỉ số khúc xạ và độ truyền của màng có thể được kiểm soát để đạt được chức năng chống phản xạ, lọc hoặc phản xạ cao, phù hợp với các ứng dụng quang học laser và hàng không vũ trụ.

l Lớp phủ trang trí

Tạo ra lớp phủ có độ cứng cao, chống mài mòn trên bề mặt điện thoại di động, đồng hồ, nội thất ô tô và các bộ phận chính xác. Ứng dụng này mang lại vẻ ngoài kim loại hấp dẫn đồng thời kéo dài tuổi thọ sản phẩm.