اهداف اسپاترینگ تنگستن (W) برای پوشش PVD

هدف های پرتاب ولتفرم: انتخاب نهایی برای مواد با عملکرد بالا

مواد هدف از تُلفستم، که عمدتاً از تُلفستم تشکیل شده اند، به دلیل خواص فیزیکی و شیمیایی منحصر به فرد خود در بسیاری از زمینه های فن آوری بالا نقش ضروری ای را ایفا می کنند.

خواص برجسته اهداف اسپتر کردن ولفستم

من خالصیت بالا

ساخته شده از مواد هدف فلزی عنصر با خلوص 99.9٪ تا 99.99٪، مناسب برای تبخیر، پوشش، اسپتر و سایر برنامه ها.

 من تراکم بالا

با چگالی تقریباً 19.25g / cm3 ، این چگالی بسیار بالا به اتم های تولفستم اخراج شده انرژی حرکتی بالا می دهد ، و فیلم های نازک متراکم و محکم متصل را تشکیل می دهد ،که نقص های داخلی فیلم را کاهش می دهد.

من میزان اکسیژن پایین

محتوای اکسیژن فشار گرم کمتر از 20ppm است، محتوای اکسیژن پوشش اسپری کمتر از 2000ppm است.

من مقاومت عالی در برابر خوردگی

وولفستم در برابر طیف گسترده ای از اسید ها، پایه ها و فلزات ذوب شده مقاومت بالایی دارد.این بی عملگی شیمیایی ذاتی ثبات استثنایی را در طول فرآیندهای رسوب که شامل محیط های شیمیایی تهاجمی یا گاز های پیشرو خوردنی است، تضمین می کند.

 کاربردهای گسترده اهداف اسپتر کردن وولفستم

من پوشش های کاربردی

فیلم های وولفستم سفید نقره ای با درخشش خوب و ثبات شیمیایی قوی هستند و می توانند به عنوان پوشش های تزئینی پیشرفته (مانند برای ساعت ها و محافظ های دستگاه های پزشکی) استفاده شوند.رسانایی و مقاومت اکسیداسیون آنها را برای پوشش سطح الکترود مناسب می کند، افزایش طول عمر و ثبات الکترودها.

من تکنولوژی اشعه ایکس

به دلیل تعداد اتم بالا (Z=74) ، تراکم بالا و نقطه ذوب بالا، مواد هدف اسپوتینگ ولتفستم به طور گسترده ای در تجهیزات اشعه ایکس استفاده می شود.الکترون های با سرعت بالا به هدف تُنگستِن اسپاترینگ ضربه می زنند تا اشعه ایکس تولید کنند.. وولفستم می تواند در برابر دماهای بالا مقاومت کند و به طور موثر اشعه ایکس با انرژی بالا تولید کند ، وضوح تصویربرداری بالا را فراهم می کند ، که برای تشخیص پزشکی و آزمایش غیر مخرب صنعتی مناسب است.ثبات و رسانایی حرارتی عالی ولتفستم آن را به یک ماده ضروری برای منابع پرتوهای ایکس با عملکرد بالا تبدیل می کند.

من صنعت نیمه هادی

در تولید نیمه هادی، مواد هدف اسپترینگ ونگستین معمولاً در فرآیندهای رسوب بخار فیزیکی (PVD) برای تشکیل لایه های متقابل فلزی استفاده می شود.به دلیل مقاومت پایین و رسانایی خوب آن، وولفستم می تواند آلومینیوم را برای تشکیل پلاگین های تماس و سازه های اتصال محلی جایگزین کند، بهبود بهره وری الکتریکی و قابلیت اطمینان تراشه ها.خواص بسیار خوبی که وولفستم دارد و چسبندگی خوبی به سیلیکون آن را به فلز غیر قابل جایگزینی در تولید تراشه های پیشرفته منطق و حافظه تبدیل می کند.

من صنعت خورشیدی

در تولید سلول های خورشیدی، مواد هدف از تُنگستین Sputtering مورد استفاده قرار می گیرند تا فیلم های نازک الکترود را یا به عنوان بخشی از فیلم های فلزی کاربردی قرار دهند. به طور خاص،برای سلول های سوخت غشا مبادله پروتون (PEMFC)، وولفستم به عنوان یک لایه مانع بر روی صفحه های دو قطبی استفاده می شود، از انتشار مولیبدن جلوگیری می کند و ثبات طولانی مدت دستگاه را بهبود می بخشد.ولتفستم ثبات حرارتی عالی را در محیط های با دمای بالا حفظ می کند، افزایش قابلیت اطمینان عملیاتی و کارایی تبدیل ماژول های خورشیدی در محیط های پیچیده.

 من لایه های حفاظت از صنایع هوافضا و هسته ای

حفاظت حرارتی فضاپیما
فیلم های وولفستم در نوزل های موتور موشک و اجزای ورود مجدد فضاپیما برای محافظت در برابر دمای بسیار بالا (هزاران درجه سانتیگراد) و شوک حرارتی استفاده می شود.حفاظت از ساختارهای داخلی.

 من اجزای صنعت هسته ای:

فیلم های وولفستم، که به دلیل مقاومت در برابر تشعشعات، دماهای بالا و برش متقابل جذب نوترون پایین شناخته می شوند، در اهداف راکتور هسته ای، مواد محافظ،یا اولین پوشش های دیواری دستگاه های فیوژن (e.مثل توکاماکس) ، جایی که آنها بمباران ذرات با انرژی بالا و شرایط حرارتی شدید را تحمل می کنند.