প্রধান লক্ষ্য উপকরণ:AMTO, ICO, IXO, ITO, AZO, MZO, CTO, ZTO, GAZO, ZnO, NiO, SnO₂, Cu, Ni, Ti, Mo, In, Cr, Si, CuGa, ZnTe, CuNi

বাষ্পীভবন উপকরণ:ITO, IWSO, IXO, ICO, IMO, ZTO, AZO, GAZO, NiO, Mo, IZRO, ZnO, SnO₂, Cu, In, Se

ফটোভোলটাইক প্রযুক্তির দ্রুত বিবর্তন—হেটেরোজাংশন (HJT), পেরোভস্কাইট, ব্যাক কন্টাক্ট (BC), এবং CdTe পাতলা-ফিল্ম কোষের মতো উদীয়মান সৌর কোষের প্রকারগুলি সহ—উচ্চ-কার্যকারিতা সম্পন্ন পাতলা-ফিল্ম উপকরণের জন্য ক্রমবর্ধমান কঠোর চাহিদা তৈরি করছে।

১।HJT সৌর কোষ

স্বচ্ছ পরিবাহী ফিল্ম (TCFs), যেমন ইন্ডিয়াম টিন অক্সাইড (ITO) এবং ইন্ডিয়াম জিঙ্ক অক্সাইড (IZO), সেইসাথে মেটাল ব্যাক ইলেকট্রোড তৈরি করতে স্পাটারিং টার্গেট ব্যবহার করা হয়। এই উপকরণগুলি ক্যারিয়ার সংগ্রহ উন্নত করতে এবং ইন্টারফেস প্যাসিভেশন বাড়াতে গুরুত্বপূর্ণ, যার ফলে সামগ্রিক রূপান্তর দক্ষতা উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি পায়।

২।পেরোভস্কাইট সৌর কোষ

স্বচ্ছ ইলেকট্রোড, বাফার স্তর এবং ইন্টারফেস মডিফিকেশন স্তরগুলির জমা দেওয়ার জন্য স্পাটারিং টার্গেটগুলি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। এই অ্যাপ্লিকেশনগুলি ফিল্মের ঘনত্ব এবং সামগ্রিক স্থিতিশীলতা উন্নত করে, যার ফলে ডিভাইসগুলির দীর্ঘমেয়াদী নির্ভরযোগ্যতা বৃদ্ধি পায়।

৩।BC সৌর কোষ

অপ্টিমাইজড আলো সংগ্রহ এবং উন্নত কারেন্ট সংগ্রহের কর্মক্ষমতা সক্ষম করতে ব্যাক কন্টাক্ট এবং স্বচ্ছ পরিবাহী স্তরগুলি জমা দেওয়ার জন্য উচ্চ-কার্যকারিতা সম্পন্ন স্পাটারিং টার্গেট ব্যবহার করা হয়, যা ডিভাইসের দক্ষতা সর্বাধিক করে তোলে।

৪।CdTe পাতলা-ফিল্ম সৌর কোষ

স্বচ্ছ পরিবাহী স্তর, বাফার স্তর এবং ব্যাক ইলেকট্রোড স্তরগুলির জমা দেওয়ার জন্য স্পাটারিং টার্গেটগুলি গুরুত্বপূর্ণ। এই স্তরগুলি উন্নত ফিল্ম অভিন্নতা, পরিবাহিতা এবং আবহাওয়া প্রতিরোধ ক্ষমতা নিশ্চিত করে, যা শেষ পর্যন্ত ডিভাইসের সামগ্রিক কর্মক্ষমতা বৃদ্ধি করে।