วัสดุเป้าหมายหลัก:AMTO, ICO, IXO, ITO, AZO, MZO, CTO, ZTO, GAZO ZnO, NiO, SnO₂, Cu, Ni, Ti, Mo, In, Cr, Si, CuGa, ZnTe, CuNi

วัสดุระเหย:ITO, IWSO, IXO, ICO, IMO, ZTO, AZO, GAZO, NiO, Mo, IZRO, ZnO, SnO₂, Cu, In, Se

วิวัฒนาการอย่างรวดเร็วของเทคโนโลยีไฟฟ้าไฟฟ้า โฟตโวแลติก รวมถึงชนิดเซลล์แสงอาทิตย์ที่กําลังเกิด เช่น heterojunction (HJT), perovskite, back contact (BC)และเซลล์แผ่นบาง CdTe กําลังขับเคลื่อนความต้องการที่เข้มงวดมากขึ้นสําหรับวัสดุแผ่นบางที่มีประสิทธิภาพสูง.

1.โซลาร์เซลล์ HJT

เป้าหมายการกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจวัสดุเหล่านี้มีความสําคัญในการปรับปรุงการเก็บเก็บตัวตัวนําและเสริมการ passivation อินเตอร์เฟซ, ส่งผลให้มีผลลัพธ์ที่สําคัญต่อประสิทธิภาพการแปลงทั้งหมด

2.เซลล์แสงอาทิตย์เพโรฟสกิต

เป้าหมายการกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายกระจายโดยเพิ่มความน่าเชื่อถือในระยะยาวของอุปกรณ์.

3.เซลล์แสงอาทิตย์ BC

การใช้เป้าหมายการกระจายแสงที่มีประสิทธิภาพสูงในการฝากติดต่อกลับและชั้นนําโปร่งทําให้การจับแสงที่ปรับปรุงและประสิทธิภาพการเก็บกระแสไฟฟ้าที่สูงกว่าเพิ่มประสิทธิภาพของอุปกรณ์สูงสุด.

4.CdTe เซลล์แสงอาทิตย์แผ่นบาง

เป้าหมายการกระจายเป็นสิ่งสําคัญสําหรับการฝากชั้นนําโปร่ง, ชั้นพัฟเฟอร์, และชั้นไฟฟ้าย้อนหลังและความทนทานต่อสภาพอากาศซึ่งในที่สุดจะเพิ่มผลงานของอุปกรณ์