المواد المستهدفة الرئيسية:AMTO، ICO، IXO، ITO، AZO، MZO، CTO، ZTO، GAZO، ZnO، NiO، SnO₂، Cu، Ni، Ti، Mo، In، Cr، Si، CuGa، ZnTe، CuNi

مواد التبخير:ITO، IWSO، IXO، ICO، IMO، ZTO، AZO، GAZO، NiO، Mo، IZRO، ZnO، SnO₂، Cu، In، Se

إن التطور السريع لتكنولوجيا الخلايا الكهروضوئية - التي تشمل أنواعًا جديدة من الخلايا الشمسية مثل الخلايا غير المتجانسة (HJT)، والخلايا البيروفسكايتية، والخلايا ذات الاتصال الخلفي (BC)، والخلايا الرقيقة من نوع CdTe - يدفع إلى تزايد المطالب الصارمة للمواد الرقيقة عالية الأداء.

1.خلايا HJT الشمسية

تُستخدم أهداف الرش لإنشاء أغشية موصلة شفافة (TCFs)، مثل أكسيد الإنديوم والقصدير (ITO) وأكسيد الإنديوم والزنك (IZO)، بالإضافة إلى الأقطاب الكهربائية الخلفية المعدنية. هذه المواد ضرورية لتحسين جمع حاملات الشحنة وتعزيز تخميل الواجهة، مما يؤدي إلى زيادة كبيرة في كفاءة التحويل الإجمالية.

2.خلايا البيروفسكايت الشمسية

تُستخدم أهداف الرش على نطاق واسع لترسيب الأقطاب الكهربائية الشفافة، وطبقات العازل، وطبقات تعديل الواجهة. تعمل هذه التطبيقات على تحسين كثافة الفيلم والاستقرار العام، وبالتالي تعزيز الموثوقية طويلة الأجل للأجهزة.

3.خلايا BC الشمسية

يُمكّن استخدام أهداف الرش عالية الأداء لترسيب طبقات الاتصال الخلفي والطبقات الموصلة الشفافة من تحسين التقاط الضوء وأداء جمع التيار المتفوق، مما يزيد من كفاءة الجهاز إلى أقصى حد.

4.خلايا CdTe الرقيقة الشمسية

تُعد أهداف الرش ضرورية لترسيب الطبقات الموصلة الشفافة، وطبقات العازل، وطبقات الأقطاب الكهربائية الخلفية. تضمن هذه الطبقات تجانسًا فائقًا للفيلم، وتوصيلًا، ومقاومة للعوامل الجوية، مما يعزز في النهاية الأداء العام للجهاز.