मुख्य लक्ष्य सामग्री:AMTO, ICO, IXO, ITO, AZO, MZO, CTO, ZTO, GAZO, ZnO, NiO, SnO₂, Cu, Ni, Ti, Mo, In, Cr, Si, CuGa, ZnTe, CuNi

वाष्पीकरण सामग्री:ITO, IWSO, IXO, ICO, IMO, ZTO, AZO, GAZO, NiO, Mo, IZRO, ZnO, SnO₂, Cu, In, Se

फोटोवोल्टिक प्रौद्योगिकी का तीव्र विकास—जिसमें हेटेरोजंक्शन (HJT), पेरोव्स्काइट, बैक कॉन्टैक्ट (BC), और CdTe थिन-फिल्म सेल जैसे उभरते हुए सौर सेल प्रकार शामिल हैं—उच्च-प्रदर्शन वाली थिन-फिल्म सामग्री के लिए बढ़ती सख्त मांगें पैदा कर रहा है।

1.HJT सौर सेल

स्पटरिंग लक्ष्य पारदर्शी प्रवाहकीय फिल्मों (TCFs) जैसे इंडियम टिन ऑक्साइड (ITO) और इंडियम जिंक ऑक्साइड (IZO) के साथ-साथ धातु बैक इलेक्ट्रोड बनाने के लिए उपयोग किए जाते हैं। ये सामग्रियां वाहक संग्रह में सुधार और इंटरफ़ेस पैसिवेशन को बढ़ाने के लिए महत्वपूर्ण हैं, जिसके परिणामस्वरूप समग्र रूपांतरण दक्षता में महत्वपूर्ण वृद्धि होती है।

2.पेरोव्स्काइट सौर सेल

स्पटरिंग लक्ष्य पारदर्शी इलेक्ट्रोड, बफर परतें और इंटरफ़ेस संशोधन परतें जमा करने के लिए व्यापक रूप से उपयोग किए जाते हैं। ये अनुप्रयोग फिल्म घनत्व और समग्र स्थिरता में सुधार करते हैं, जिससे उपकरणों की दीर्घकालिक विश्वसनीयता बढ़ती है।

3.BC सौर सेल

बैक कॉन्टैक्ट और पारदर्शी प्रवाहकीय परतें जमा करने के लिए उच्च-प्रदर्शन स्पटरिंग लक्ष्यों का उपयोग अनुकूलित प्रकाश कैप्चर और बेहतर वर्तमान संग्रह प्रदर्शन को सक्षम बनाता है, जिससे डिवाइस दक्षता अधिकतम होती है।

4.CdTe थिन-फिल्म सौर सेल

स्पटरिंग लक्ष्य पारदर्शी प्रवाहकीय परतें, बफर परतें और बैक इलेक्ट्रोड परतें जमा करने के लिए महत्वपूर्ण हैं। ये परतें बेहतर फिल्म एकरूपता, चालकता और मौसम प्रतिरोध सुनिश्चित करती हैं, जिससे अंततः डिवाइस के समग्र प्रदर्शन में वृद्धि होती है।