Βασικά υλικά-στόχοι:AMTO, ICO, IXO, ITO, AZO, MZO, CTO, ZTO, GAZO, ZnO, NiO, SnO₂, Cu, Ni, Ti, Mo, In, Cr, Si, CuGa, ZnTe, CuNi

Υλικά εξάτμισης:ITO, IWSO, IXO, ICO, IMO, ZTO, AZO, GAZO, NiO, Mo, IZRO, ZnO, SnO₂, Cu, In, Se

Η ταχεία εξέλιξη της φωτοβολταϊκής τεχνολογίας, η οποία περιλαμβάνει νέους τύπους ηλιακών κυψελών, όπως η ετεροσύνδεση (HJT), ο περοβσκίτης, η αντίστροφη επαφή (BC),και τα κύτταρα λεπτής ταινίας CdTe οδηγούν σε αυξανόμενες απαιτήσεις για υλικά λεπτής ταινίας υψηλών επιδόσεων.

1.Ηλιακά κύτταρα HJT

Οι στόχοι ψεκασμού χρησιμοποιούνται για τη δημιουργία διαφανών αγωγών ταινιών (TCF), όπως οξείδιο ινδίου και κασσίτερου (ITO) και οξείδιο ινδίου και ψευδαργύρου (IZO), καθώς και μεταλλικά πίσω ηλεκτρόδια.Αυτά τα υλικά είναι κρίσιμα για τη βελτίωση της συλλογής φορέα και την ενίσχυση της παθητικοποίησης των διεπαφών, με αποτέλεσμα σημαντική αύξηση της συνολικής αποδοτικότητας της μετατροπής.

2.Ηλιακά κύτταρα περοβσκίτη

Οι στόχοι ψεκασμού χρησιμοποιούνται ευρέως για την εναπόθεση διαφανών ηλεκτροδίων, στρωμάτων θωρακιστών και στρωμάτων τροποποίησης διεπαφών.Με τον τρόπο αυτό ενισχύεται η μακροπρόθεσμη αξιοπιστία των συσκευών.

3.Ηλιακά κύτταρα BC

Χρησιμοποιώντας στόχους ψεκασμού υψηλών επιδόσεων για την κατάθεση επαφής πίσω και διαφανών αγωγών στρωμάτων, επιτρέπει βελτιστοποιημένη συλλογή φωτός και ανώτερη απόδοση συλλογής ρεύματος,μεγιστοποίηση της απόδοσης της συσκευής.

4.Ηλιακά κύτταρα λεπτής ταινίας CdTe

Οι στόχοι ψεκασμού είναι κρίσιμοι για την εναπόθεση διαφανών αγωγικών στρωμάτων, στρωμάτων θωρακιστών και στρωμάτων πίσω ηλεκτροδίων.και αντοχή σε καιρικές συνθήκες, βελτιώνοντας τελικά τη συνολική απόδοση της συσκευής.