Основные цели:AMTO, ICO, IXO, ITO, AZO, MZO, CTO, ZTO, GAZO, ZnO, NiO, SnO₂, Cu, Ni, Ti, Mo, In, Cr, Si, CuGa, ZnTe, CuNi

Материалы испарения:ITO, IWSO, IXO, ICO, IMO, ZTO, AZO, GAZO, NiO, Mo, IZRO, ZnO, SnO₂, Cu, In, Se

Быстрая эволюция фотоэлектрической технологии, включающая в себя новые типы солнечных элементов, такие как гетеросоединение (HJT), перовскит, обратный контакт (BC),и CdTe тонкопленочные элементы √ создают все более строгие требования к высокопроизводительным тонкопленочным материалам.

1.Солнечные элементы HJT

Цели распыливания используются для создания прозрачных проводящих пленок (TCF), таких как оксид индия и цинка (ITO) и оксид индия и цинка (IZO), а также металлические электроды.Эти материалы имеют решающее значение для улучшения сбора носителей и повышения пассивации интерфейсов, что значительно повышает эффективность общего преобразования.

2.Перовскитные солнечные элементы

Цели распыливания широко используются для отложения прозрачных электродов, буферных слоев и слоев модификации интерфейсов.тем самым повышая долгосрочную надежность изделий.

3.Солнечные элементы BC

Использование высокопроизводительных целей распыливания для отложения обратного контакта и прозрачных проводящих слоев позволяет оптимизировать захват света и повысить производительность сбора тока,максимизация эффективности устройства.

4.Тонкопленочные солнечные элементы CdTe

Цели распыливания имеют решающее значение для отложения прозрачных проводящих слоев, буферных слоев и слоев обратных электродов.и устойчивость к погодным условиям, в конечном счете повышая общую производительность устройства.