โซลูชั่น
2026-03-26
เซมิคอนดักเตอร์
วัสดุเป้าหมายหลัก:Cu, Ti, W, SS, AI, Si, Ni, Mo, Cr, Ta, Ag, Au, Pt, Ir, Sc, AISC, NiFe, NiCr, NiCu, WTi, AICu, PZT, LNO, NiV วัสดุระเหย:Cu, Ni, Ti, W, AI, Mo, Cr, Ta, Ag, Au, Pt, Ir, Y วัสดุเป้าหมายเหล่านี้เป็นองค์ประกอบที่สําคัญและจําเป็นในการผลิตครึ่งตัวนํา พวกเขาถูกนําไปใช้อย่างแพร่หลายในอุปกรณ์...
2026-03-27
เซลล์แสงอาทิตย์
วัสดุเป้าหมายหลัก:AMTO, ICO, IXO, ITO, AZO, MZO, CTO, ZTO, GAZO ZnO, NiO, SnO₂, Cu, Ni, Ti, Mo, In, Cr, Si, CuGa, ZnTe, CuNi วัสดุระเหย:ITO, IWSO, IXO, ICO, IMO, ZTO, AZO, GAZO, NiO, Mo, IZRO, ZnO, SnO₂, Cu, In, Se วิวัฒนาการอย่างรวดเร็วของเทคโนโลยีไฟฟ้าไฟฟ้า โฟตโวแลติก รวมถึงชนิดเซลล์แสงอาทิตย์ที่ก...
2026-03-27
เลนส์
วัสดุเป้าหมายหลัก:ซี ซี บี ซีโอ₂, Nb, Nb₂Ox, Ti, TiOXAl, Cr, Zr, Hf, Ta, Ge วัสดุระเหย:MgF₂, Nb₂O₅อัล₂O₃ทา₂O₅, HfO₂ตี₃O₅, SiO₂/AI₂O₃, H4, YbF₃, SiO₂ธิโอ₂, ZrO₂ วัสดุเป้าหมายเหล่านี้เป็นสิ่งจําเป็นสําหรับการฝากผนังบางทางออทติกที่ก้าวหน้า โดยให้ความเหมือนกัน ความหนาแน่น และความมั่นคงสูงในส่วนประกอบทาง...
2026-03-27
ระบบสัมผัสและจอแสดงผลอัจฉริยะ
วัสดุเป้าหมายหลัก:Si, Nb, Cu, AI, Mo, Ti, Ni, Ag, Yb, SiB, GXO, MoOX, Nb₂Ox, MoNb,AINd, CuNi วัสดุระเหย:Ag, AI, Yb ในการผลิตหน้าจอสัมผัสอัจฉริยะและจอแสดงผลแบบแบนต่างๆ เป้าหมายการสปัตเตอร์เป็นวัสดุหลักสำหรับการเตรียมฟิล์มนำไฟฟ้าโปร่งใส (TCFs), ฟิล์มฟังก์ชัน และชั้นอินเทอร์เฟซ คุณภาพของวัสดุเหล่านี้ส่...
2026-03-27
การเคลือบแข็งและการเคลือบผิวตามหน้าที่
วัสดุเป้าหมายหลัก:Si, Cr, Cu, AI, Ti, Nb, Zr, In, Sn, SS, C, Nb₂Ox, CrSi, CrAl, SiAI, TiAI, InSn, WTi, WC, WCr, TiB₂เป้าหมายการกระจายที่กล่าวมาข้างต้นเป็นวัสดุหลักสําหรับการเตรียมทั้งฟิล์มที่ใช้งานและชั้นการเสริมผิวในความต้องการที่แข็งแรงและตกแต่งเป้าหมายความหนาแน่นสูง โฟมฝากที่ลักษณะของความแข็งแรงส...
2026-03-27
แก้ว low-e
วัสดุเป้าหมายหลัก:AZO, ZTO, SiAI, SiZr, ZrOx, NiCr, SiAIZr, ZnSn, ZnAI, TiOX, Nb₂Ox,Ag, Nb, Cr การเคลือบผิวแบบฟังก์ชันสำหรับกระจกที่ให้ฟิล์มที่มีความโปร่งใสสูง สม่ำเสมอสูง ทนทานต่อการขีดข่วน และทนทานต่อการกัดกร่อน การเคลือบเหล่านี้มีฟังก์ชันที่จำเป็น เช่น การเป็นฉนวนความร้อน การนำไฟฟ้า และการป้องกัน...
2026-03-27
ตัวสะสมคอมโพสิต
วัสดุเป้าหมายหลัก:Cu, NiCr, Al, Cu-alloy ในการเตรียมเครื่องเก็บกระแสประกอบ, เป้าหมายการพ่นเป็นวัสดุหลักในการสร้างฟิล์มที่นําไฟที่มีประสิทธิภาพสูงและชั้นอินเตอร์เฟสเป้าหมายที่มีความเหมือนกันสูง, ฟิล์มต่อเนื่องที่ปรับปรุงความสามารถในการนําไฟ, ความแข็งแรงทางกล, และความมั่นคงทางเคมีของคอลเลคเตอร์ทําให้ก...
2026-03-27
แม่เหล็กถาวรแร่หายาก
วัสดุเป้าหมายหลัก:Tb, Dy, Tb-alloy ใช้สําหรับการเคลือบผิวผิวฝังฟิล์ม และการปรับปรุงอินเตอร์เฟซเพื่อเพิ่มผลงานและความมั่นคงของวัสดุแม่เหล็ก เป้าหมายความบริสุทธิ์สูงสามารถฝากฟิล์มที่ใช้งานแบบเรียบร้อยและหนาแน่นการปรับปรุงความทนทานต่อการกัดสนองและความมั่นคงทางความร้อนของแม่เหล็ก, ขยายอายุการใช้งาน และร...
2026-03-27
อิเล็กโตรโครมิซึม
วัสดุเป้าหมายหลัก:ITO, Ni, W, V, Cu, NiO, WO, VO, WNi, MoNb, AINd วัสดุเหล่านี้ช่วยให้สามารถเคลือบฟิล์มที่มีความบริสุทธิ์สูง สม่ำเสมอสูง หนาแน่น และเสถียร พร้อมคุณสมบัติทางแสงที่ควบคุมได้อย่างแม่นยำ เป้าหมายประสิทธิภาพสูงเหล่านี้ไม่เพียงแต่ปรับปรุงความเร็วในการตอบสนองและความสม่ำเสมอของสีเท่านั้น แต่...
2026-03-27
RPD / วัสดุระเหย
วัสดุเป้าหมายหลัก:Cu, Ti, Al, วัสดุ RPD, Yb, Ni, Ag, ITO, ZrO₂, H4 วัสดุเหล่านี้สามารถเคลือบฟิล์มที่มีความบริสุทธิ์สูง สม่ำเสมอหนาแน่น และเสถียรสูง ทำให้ได้คุณสมบัติทางแสง ไฟฟ้า และเชิงกลที่ยอดเยี่ยม เป้าหมายประสิทธิภาพสูงช่วยให้มั่นใจในความสม่ำเสมอและความเสถียรของวัสดุระหว่างการเตรียมฟิล์ม โดยเป็นร...
2026-03-27
ผง
สับหลัก:ขาวแก้ว วัสดุนาโน ขาวเงิน ขาวเซรามิกความบริสุทธิ์สูง ผลิตภัณฑ์ปูนของเรามีวัสดุที่มีประสิทธิภาพสูงหลายชนิด รวมถึงผงแก้วพิเศษ นาโนอ๊อกไซด์ ผงเงิน และผงเซรามิกความบริสุทธิ์สูงวัสดุเหล่านี้ถูกใช้อย่างแพร่หลายในสาขาต่างๆ เช่น พลังงานแสงอาทิตย์, การรักษาสุขภาพ, สารเคมี, โลหะ, วัสดุก่อสร้าง, ท้องอา...
2026-03-27
น้ำพริก
วัสดุเป้าหมายหลัก:เอ็ก, อัล, คูเป็นต้น อิเล็กทรอนิกส์พาสต์เป็นวัสดุที่มีคุณสมบัติพิเศษที่ประกอบโดยใช้โลหะความบริสุทธิ์สูงหรือปูนออกไซด์เป็นองค์ประกอบหลัก, ผสมผสานอย่างแม่นยํากับตัวนําอินทรีย์และสารเสริมเฉพาะเจาะจงมันแสดงความสามารถในการนําไฟฟ้าที่ดี, ความสามารถในการนําไฟฟ้า, การกันความร้อน, หรือคุณสม...
1
