মলিবডেনাম স্পাটারিং টার্গেট (মো স্পাটারিং টার্গেট)

মলিবডেনাম স্পটটিং টার্গেট, উচ্চ-কার্যকারিতা উপকরণগুলির একটি উদীয়মান তারকা

উপকরণ বিজ্ঞান ক্রমাগত অগ্রগতি সঙ্গে, মলিবডেনাম sputtering লক্ষ্যমাত্রা বিভিন্ন ক্ষেত্রে একটি মূল ড্রাইভার হিসাবে আবির্ভূত হয়েছে। মলিবডেনাম লক্ষ্যমাত্রা অর্ধপরিবাহী জুড়ে সমালোচনামূলক, প্রদর্শন,সৌরবিদ্যুৎ, এবং উচ্চ-শেষ উত্পাদন খাত, যা শিল্প উদ্ভাবনকে চালিত করে অনন্য পারফরম্যান্স সুবিধা প্রদান করে।

এর চমৎকার বৈশিষ্ট্যমলিবডেনাম স্পট্রিংয়ের লক্ষ্য

আমি অতি উচ্চ বিশুদ্ধতা

মলিবডেনাম স্পট্রিংয়ের লক্ষ্যগুলি সাধারণত ≥99.95% এর উচ্চ বিশুদ্ধতা থাকে, কিছু 5N (99.999%) পৌঁছায়। অত্যন্ত কম অমেধ্য সামগ্রী, যেমন Fe এবং Ni <50ppm, এবং O <200ppm,স্পটারযুক্ত ফিল্মগুলির স্থিতিশীল বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে, যা সেমিকন্ডাক্টর চিপ উৎপাদনের মতো উচ্চ-নির্ভুল অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একটি শক্ত ভিত্তি স্থাপন করে।

আমি উচ্চ তাপমাত্রা অক্সিডেশন প্রতিরোধের

২৬২৩°C এর অতি উচ্চ গলনাঙ্ক সহ, ১০০০°C এ বায়ুতে অক্সিডেশনের ফলে ওজন বৃদ্ধি <০.১mg/cm2 (100 ঘন্টা) । উদাহরণস্বরূপ,একটি ফোটোভোলটাইক কোম্পানি TCO ফিল্ম প্রস্তুত করার জন্য Mo লক্ষ্যমাত্রা ব্যবহার করে 85 °C/85% RH পরীক্ষার 500 ঘন্টা পরে কোন ব্যর্থতা দেখিয়েছে, উচ্চ তাপমাত্রা এবং কঠোর পরিবেশে অসামান্য স্থিতিশীলতা প্রদর্শন করে।

আমি সুনির্দিষ্ট কাঠামো এবং চমৎকার পরিবাহিতা

ঘনত্বঃ ১০.২৮ গ্রাম/সেমি৩ (৯৯% তাত্ত্বিক), কণার আকার <৫০ মাইক্রোমিটার, সমতলতা ≤০.০৫ মিমি (Φ১০০ মিমি লক্ষ্যমাত্রা) । উচ্চ বিশুদ্ধতা Mo এর চমৎকার পরিবাহিতা (প্রতিরোধ 5.2 μΩ·cm) স্পটারিংয়ের সময় কার্যকর বর্তমান স্থানান্তর নিশ্চিত করে, স্পট্রিংয়ের দক্ষতা উন্নত করে। সুনির্দিষ্ট কাঠামোগত নকশা উচ্চ নির্ভুলতা স্পট্রিং সরঞ্জামগুলির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, লেপ নির্ভুলতা এবং অভিন্নতা নিশ্চিত করে।

 অ্যাপ্লিকেশনমলিবডেনাম স্পট্রিংয়ের লক্ষ্যমাত্রা

আমি সেমিকন্ডাক্টর শিল্প

ধাতব সিলিকন ওয়েফারগুলির জন্য নীচের ইলেক্ট্রোড প্রস্তুত করতে অর্ধপরিবাহী শিল্পে মলিবডেনাম লক্ষ্যগুলি ব্যবহার করা হয়, স্থিতিশীল বর্তমান সরবরাহ করে এবং ওয়েফারের গুণমান নিশ্চিত করে।

আমি প্রদর্শন প্যানেল

মলিবডেনাম টার্গেট উপাদানটি উজ্জ্বলতা, বৈসাদৃশ্য, রঙ এবং আয়ু বাড়ানোর জন্য তরল স্ফটিক প্রদর্শন (এলসিডি) ব্যবহার করা হয়।

আমি ফোটোভোলটাইক শিল্প

Mo Sputtering Target সৌর কোষ উৎপাদনে ইলেক্ট্রোড উপাদান হিসেবে ব্যবহার করা হয়, যা রূপান্তর দক্ষতা উন্নত করে।

আমি নিম্ন নির্গমন গ্লাস

মলিবডেনাম লক্ষ্যগুলি STN/TN/TFT-LCDs এবং নিম্ন-ইমিসিভিটি গ্লাস উত্পাদনে ব্যবহৃত হয়, যা বিভিন্ন লেপ সিস্টেমের জন্য উপযুক্ত।