logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
เป้าหมายกระจายโลหะ
Created with Pixso. เป้าหมายสปัตเตอร์โมลิบดีนัม (เป้าหมาย Mo สปัตเตอร์)
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
ได้รับการรับรอง:
ISO9001、ISO14001、ISO45001、IAFT16949
ความบริสุทธิ์:
99.95%-99.999%
ความหนาแน่น:
10.28ก./ซม
ความต้านทาน:
มันคือ 5.17 × 10⁻¹⁰ Ω·cm ที่ 0°C; 24.6 × 10⁻¹⁰ Ω·cm ที่ 800°C; และ 72 × 10⁻¹⁰ Ω·cm ที่ 2400°C
ชื่อ:
เป้าหมายสปัตเตอร์โมลิบดีนัม (เป้าหมาย Mo สปัตเตอร์)
กระบวนการขึ้นรูป:
การเผาผนึกแบบกดร้อน
ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์:
เป้าหมายแบน เป้าหมายหมุน
ฟิลด์แอปพลิเคชัน:
อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์, แผงแสดงผล, อุตสาหกรรมไฟฟ้าโซลาร์เซลล์, กระจกที่มีการปล่อยรังสีต่ำ
รายละเอียดการบรรจุ:
บรรจุภัณฑ์ปิดผนึกสูญญากาศ บรรจุกล่องสำหรับจัดเก็บและขนส่ง
สามารถในการผลิต:
อุปทานที่มั่นคง
เน้น:

เป้าหมายสปัตเตอร์โมลิบดีนัม

,

เป้าหมายสปัตเตอร์โม

,

เป้าหมายโมลิบดีนัม

คําอธิบายสินค้า

เป้าสปัตเตอริงโมลิบดีนัม ดาวรุ่งพุ่งแรงในวัสดุประสิทธิภาพสูง

ด้วยความก้าวหน้าอย่างต่อเนื่องของวิทยาศาสตร์วัสดุ เป้าสปัตเตอริงโมลิบดีนัมได้กลายเป็นตัวขับเคลื่อนสำคัญในหลากหลายสาขา เป้าสปัตเตอริงโมลิบดีนัมมีความสำคัญอย่างยิ่งในภาคส่วนเซมิคอนดักเตอร์ จอแสดงผล โฟโตโวลตาอิก และการผลิตระดับไฮเอนด์ โดยมอบข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพที่เป็นเอกลักษณ์ซึ่งขับเคลื่อนนวัตกรรมในอุตสาหกรรม

คุณสมบัติที่ยอดเยี่ยมของเป้าสปัตเตอริงโมลิบดีนัม

 

l ความบริสุทธิ์สูงพิเศษ


เป้าสปัตเตอริงโมลิบดีนัมโดยทั่วไปมีความบริสุทธิ์สูง ≥99.95% บางชนิดสูงถึง 5N (99.999%) ปริมาณสิ่งเจือปนที่ต่ำมาก เช่น Fe และ Ni <50ppm และ O <200ppm ทำให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพทางไฟฟ้าที่เสถียรของฟิล์มที่สปัตเตอร์ ซึ่งเป็นรากฐานที่แข็งแกร่งสำหรับการใช้งานที่มีความแม่นยำสูง เช่น การผลิตชิปเซมิคอนดักเตอร์

 

 

l ทนทานต่อการออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง


ด้วยจุดหลอมเหลวสูงพิเศษที่ 2623°C การเพิ่มขึ้นของน้ำหนักจากการออกซิเดชันในอากาศที่ 1000°C คือ <0.1mg/cm² (100 ชั่วโมง) ตัวอย่างเช่น บริษัทโฟโตโวลตาอิกที่ใช้เป้า Mo ในการเตรียมฟิล์ม TCO ไม่พบความล้มเหลวหลังจากทดสอบ 500 ชั่วโมงภายใต้สภาวะ 85°C/85% RH แสดงให้เห็นถึงความเสถียรที่โดดเด่นในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงและสภาพแวดล้อมที่รุนแรง

 

 

l โครงสร้างที่แม่นยำและการนำไฟฟ้าที่ดีเยี่ยม


ความหนาแน่น: 10.28 g/cm³ (99% ของทฤษฎี) ขนาดเกรน <50μm ความเรียบ ≤0.05 มม. (เป้า Φ100 มม.) การนำไฟฟ้าที่ดีเยี่ยมของ Mo ความบริสุทธิ์สูง (ความต้านทาน 5.2 μΩ·cm) ช่วยให้มั่นใจได้ถึงการถ่ายโอนกระแสไฟฟ้าที่มีประสิทธิภาพระหว่างการสปัตเตอร์ ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการสปัตเตอร์ การออกแบบโครงสร้างที่แม่นยำเข้ากันได้กับอุปกรณ์สปัตเตอร์ที่มีความแม่นยำสูง ทำให้มั่นใจในความแม่นยำและความสม่ำเสมอของการเคลือบ

 

 การใช้งานของเป้าสปัตเตอริงโมลิบดีนัม

 

l อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์


เป้าโมลิบดีนัมถูกใช้ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์เพื่อเตรียมขั้วไฟฟ้าด้านล่างสำหรับเวเฟอร์ซิลิคอนโลหะ ให้กระแสไฟฟ้าที่เสถียรและรับประกันคุณภาพของเวเฟอร์

 

 

l แผงจอแสดงผล


วัสดุเป้าโมลิบดีนัมถูกใช้ในจอแสดงผลผลึกเหลว (LCD) เพื่อเพิ่มความสว่าง คอนทราสต์ สี และอายุการใช้งาน

 

 

l อุตสาหกรรมโฟโตโวลตาอิก


เป้าสปัตเตอริง Mo ถูกใช้ในการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์เป็นวัสดุขั้วไฟฟ้า เพิ่มประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน

 


l กระจก Low-emissivity


เป้าโมลิบดีนัมถูกใช้ในการผลิต STN/TN/TFT-LCD และกระจก Low-emissivity เหมาะสำหรับระบบการเคลือบที่หลากหลาย