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[silicon target ]
Übereinstimmung18
produitsZielmaterial für die Sputterung mit hoher Reinheit Si Ziel für die Halbleiterherstellung
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SiAI Metallsputtering Ziel Silizium Aluminium Ziel Chemische Stabilität
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SiC Siliziumkarbid Sputtertarget Hochtemperaturkorrosionsbeständigkeit
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Verbundoxid-Keramiktargets IGZO Indium-Gallium-Zinkoxid-Target
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Aluminium-Silizium-Mischmetall-Materialziel Pulvermetallurgie Heißpressen Sintern
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Anpassbares Verhältnis Metall Sputtertarget Nickel Vanadium NiV Legierung Target
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Vakuumschmelzen Al Aluminium Ziel Moderne Dünnschichttechnologie
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Zink-Zinn-Oxid-Ziel ZTO Keramik-Ziel Relative Dichte ≥98%
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Hochdichte W-Wolfram-Target für Metallunterstützung
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Zn Zink Sputtertargetmaterial mit ausgezeichneter elektrischer Leitfähigkeit
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Aluminium Neodym AINd Ziel für die Optoelektronikindustrie
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Verschleißbeständigkeit Legierungsziele CuNi Kupfer Nickel-Ziele
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Metall-Niob-Sputtertarget Hohe Dichte Niedriger Widerstand Nb-Target
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Mo Metall Sputtering Ziel Molybdän Sputtering Ziel
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Hochreinigkeitsdichte Einheitlichkeit Al2O3 Aluminiumoxid-Sputterziel
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990,5% - 99,95% Reinheit Titan Sputter Ziel Korrosionsbeständigkeit Ti Ziel
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