Silikon-Spruttering-Ziel (Si-Spruttering-Ziel)
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Chinesische Kupfer-Sputtertargets (Cu-Sputtertargets)
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Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Sputtertarget
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Hochreines Titan-Sputtertarget (Ti-Sputtertarget)
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Hochreine Aluminiumoxid-Sputtertargets (Al₂O₃-Sputtertarget)
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Zink-Tellurid-Sputterziele für Beschichtungsmaterialien
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Zinkoxid-Sputtertargets (ZnO-Sputtertarget)
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Titanoxid-Rotationssputtertarget (Tiox-Sputtertarget)
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Indium-Gallium-Zinkoxid-Suppenziel (IGZO-Suppenziel)
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Nickeloxid-Supptering-Target (NiOx-Supptering-Target)
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Indium-Zinkoxid-Supptering-Target (IZO-Supptering-Target)
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Zink-Zinn-Oxid-Sputtertargets, keramische Targets (ZTO-Sputtertargets), relative Dichte ≥98 %
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Sputtertargets aus hochreinem Graphit (C-Sputtertarget)
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Silber-Sputtertargets (Ag-Sputtertarget)
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Hochreines Platin-Sputtertarget (Pt-Target)
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Chrom-Sputtertarget (Cr-Sputtertarget), Reinheit: 99,5 % - 99,95 %
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Niob-Sputtertarget (Nb-Sputtertarget)
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Ytterbium Seltenerd-Metall-Sputtertargets (Yb-Sputtertargets)
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Gold-Sputtertarget 99,99 % Reinheit (Au-Sputtertarget)
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Aluminium-Sputtertargets (Al-Sputtertargets)
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Hochreine Dy-Dysprosium-Sputtertargets für magnetische Filme und optische Beschichtungen
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Hochreine Terbium-Sputtertargets (Tb-Sputtertargets)
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Hochfeste Ti-Titan-Targetmaterialien Leichtgewicht Korrosionsbeständigkeit
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Ni-Ausdampfungsmaterialien Nickel-Ziel mit ausgezeichneter Zähigkeitsstärke
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Cu Verdunstungsmaterialien Hochleitfähigkeit Kupfer Ingots Pellets Stücke
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RPD ITO Target für Magnetron-Sputter-Vakuumverdampfung
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Kristallines Lanthan-Titanat LaTiO3 Sputter-Verdampfungsmaterialien für dünne Schichten
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Übergangsmetalloxid-Verdampfungsmaterialien Titandipentoxid Ti3O5
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Hochreines Tantalpentoxid Ta2O5 für optische Geräte und Halbleiter
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Dünnschichtverdampfungssputtermaterialien in Indiumblock
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Präzisionswasserkanalsputtern Zielstützplatten Bindungsabhängigkeit > 98%
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