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Sputtering Zielbindung Klebstoffprozess Freundschaftliche Spannungsdämpfung
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Kupfer-Nickel-Sputtertargets (CuNi-Sputtertarget)
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Hochreines Titan-Sputtertarget (Ti-Sputtertarget)
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Hochreine Molybdän-Niob-Sputtertargets (Monb-Sputtertargets)
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Indium-Sputtertargets (In Sputtertargets)
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Zink-Zinn-Oxid-Sputtertargets, keramische Targets (ZTO-Sputtertargets), relative Dichte ≥98 %
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Titanborid-Sputtertarget (TiB2-Keramik-Sputtertarget)
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Hochohm-Sputtertarget (GXO Sputtertarget)
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Zink-Sputtertarget (Zn-Sputtertarget)Dünnschichtmaterialien
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Aluminium-Neodym-Sputterziel (AlNd-Sputterziel)
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Nickel-Sputtertargets (Ni-Sputtertargets), Reinheit: 99,99%
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Chrom-Sputtertarget (Cr-Sputtertarget), Reinheit: 99,5 % - 99,95 %
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Silikon-Spruttering-Ziel (Si-Spruttering-Ziel)
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Silizium-Aluminium-Sputtertarget (SiAl-Sputtertarget)
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Wolfram-Titan-Sputtertargets (WTi-Sputtertargets)
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Chinesische Kupfer-Sputtertargets (Cu-Sputtertargets)
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