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Sputtering Zielbindung Klebstoffprozess Freundschaftliche Spannungsdämpfung
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Verschleißbeständigkeit Legierungsziele CuNi Kupfer Nickel-Ziele
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990,5% - 99,95% Reinheit Titan Sputter Ziel Korrosionsbeständigkeit Ti Ziel
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MoNb Metallsputtering Ziel hochreine Molybdän Niobium Ziel
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Zink-Zinn-Oxid-Ziel ZTO Keramik-Ziel Relative Dichte ≥98%
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Indium-Metall-Sputtertarget Hohe Reinheit In-Target Vakuumdünnschichttechnologie
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Aluminium Neodym AINd Ziel für die Optoelektronikindustrie
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Nickel-Sputtertarget Korrosionsbeständigkeit Flach-Target Rotierendes Target
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SiAI Metallsputtering Ziel Silizium Aluminium Ziel Chemische Stabilität
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Titanborid TiB2 Keramik-Sputterziel für PVD-Beschichtung
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Hochwiderstandsfähiger GXO-Target-Formgebungsprozess Sintern Kundenspezifisch Geformt
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Zn Zink Sputtertargetmaterial mit ausgezeichneter elektrischer Leitfähigkeit
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Anpassbarer Größe Chrom-Ziel Dreh- / Flächen-Cr-Sputter-Ziel
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Zielmaterial für die Sputterung mit hoher Reinheit Si Ziel für die Halbleiterherstellung
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WTi-Wolfram-Titanium-Ziel mit einem Verhältnis von 90:10
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Hochdichte W-Wolfram-Target für Metallunterstützung
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